电磁体，由磁性材料的芯组成的设备，该芯由被线圈围绕的线圈组成，电流通过该线圈使该芯磁化。在需要可控磁体的地方都使用电磁体，例如在其中要改变，反转或打开和关闭磁通量的设计中。
电磁铁的工程设计是通过磁路的概念系统化的。在磁路中，磁通势F或Fm定义为线圈的安培匝数，线圈产生磁场以在电路中产生磁通量。因此，如果每米n匝的线圈载有电流i安培，则线圈内部的磁场为每米ni安培，其产生的磁通势为零安培匝数，其中l是线圈的长度。更方便地，磁通势是Ni，其中N是线圈中的总匝数。磁通密度B在磁路中等于电路中电流密度。在磁路中，等效于电流的磁通量是由BA给出的希腊字母phi ϕ表示的总磁通量，其中A是磁路的横截面积。在电路中，电动势（E）与电流有关，即在电路中，E = Ri，其中R是电路的电阻。在磁路中，F ＝ r 1，其中r是磁路的磁阻，等于电路中的电阻。通过将磁路l的长度除以磁导率乘以横截面积A得到磁阻。因此，r = l /μA，希腊字母mu，μ，表示形成磁路的介质的磁导率。磁阻的单位是每个韦伯的安匝数。这些概念可用于计算磁路的磁阻，从而计算通过线圈以迫使所需磁通量通过该电路所需的电流。
但是，这种计算涉及的几个假设充其量只能充其量只是设计的近似指南。可以将可渗透介质对磁场的影响可视化为将磁力线拥挤到自身中。相反，从高渗透率区域到低渗透率区域之一的力线倾向于散开，并且这种情况将在气隙处发生。因此，通量密度与每单位面积的力线数量成正比，将通过气隙在缝隙的侧面鼓出或流苏而减小。这种效果将随着更长的差距而增加；考虑到边缘效应，可以进行粗略的校正。
还假定磁场完全限制在线圈内。实际上，总是存在一定量的漏磁通量，这由绕线圈外部的磁力线表示，对磁芯的磁化没有贡献。如果磁芯的磁导率相对较高，则漏磁通通常较小。
实际上，磁性材料的磁导率是其中的磁通密度的函数。因此，只有在实际磁化曲线或更有用的是μ对B的曲线的情况下，才可以对真实材料进行计算。
最后，设计假设磁芯未磁化至饱和。如果是这样的话，无论有多少电流流过线圈，在这种设计中气隙中的通量密度都不会增加。在以下有关特定设备的部分中，将进一步扩展这些概念。
