戈登·摩尔美国工程师兼企业家

Gordon Moore，全职Gordon E. Moore（1929年1月3日出生，美国加利福尼亚州旧金山），美国工程师兼联合创始人，与英特尔公司的Robert Noyce共同创立。

教育

摩尔曾在加利福尼亚大学伯克利分校学习化学（理学士，1950年），1954年获得博士学位。拥有帕萨迪纳加州理工学院（Caltech）的化学和物理学博士学位。毕业后，摩尔加入了位于马里兰州劳雷尔的约翰·霍普金斯大学的应用物理实验室，在那里他研究了美国海军用于防空导弹的固体火箭推进剂的物理化学。摩尔很快就决定，私营企业提供更多令人振奋的研究，并获得更大的潜在回报。

从肖克利到英特尔

摩尔对晶体管的潜力感到特别兴奋，这是一项正在等待实际制造技术发展的最新发明。1956年，摩尔回到加利福尼亚，在肖克利半导体实验室工作，该晶体管实验室的诺贝尔奖获得者之一威廉·肖克利（William Shockley）刚刚在帕洛阿尔托开业。新实验室正在研究硅基晶体管的制造方法，但是在肖克利（Shockley）的管理下忙碌了一年半之后，由于摩尔（Moore）和其他人的呼吁，公司聘请了专业经理，因此摩尔和七位同事辞职了，与Fairchild照相机和仪器公司（Fairchild Camera and Instrument Corporation）一起在加利福尼亚州圣克拉拉成立了一家新公司，即Fairchild Semiconductor Corporation。1957年，仙童（Fairchild）寻求进入晶体管业务，而肖克利（Shockley）标记为叛逃者的“叛逆者八人”将自己呈现为一种预包装的解决方案。在飞兆半导体每个创始成员的资助和投资下，新公司很快就成为了主要的晶体管制造商。在1959年，联合创始人Noyce（集成电路的共同发明人）从该职位升任总经理后，Moore担任了新公司研发总监。

在Fairchild任职期间，Moore清楚地知道，无论对硅晶片的构想投入多少科学知识，在生产硅晶片时总会有一种类似艺术的技能。当Moore和Noyce于1968年离开Fairchild成立英特尔公司（也位于圣塔克拉拉）时，他们决定通过迫使研究科学家和工程师直接从事芯片生产，特别是磁性氧化物半导体存储芯片的生产，将理论与实践相结合。成为英特尔的第一个重大商业成功。

摩尔曾担任英特尔的副总裁（1968–75），总裁（1975–79），首席执行官（1975–87）和董事会主席（1979–97）。从1993年到2000年，他担任加州理工学院董事会主席。摩尔于1990年被授予国家技术勋章。